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一种微米级硫化铜纳米片的制备方法及硫化铜纳米片

摘要

本发明提供了一种微米级硫化铜纳米片的制备方法及微米级硫化铜纳米片,包括以下步骤:(1)将有机铜盐和硫粉溶解在有机溶剂中,得前驱体反应液;(2)将所述前驱体反应液进行溶剂热反应;然后将所得物料进行离心清洗、干燥,制得微米级硫化铜纳米片。本发明利用通过溶剂热法制备微米级分散的硫化铜纳米片,制备过程中不需表面活性剂和其他助剂,一步制备得到单一分散的微米级硫化铜纳米片。

著录项

  • 公开/公告号CN114195181A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长沙理工大学;

    申请/专利号CN202111422699.7

  • 发明设计人 蒋登辉;李成;荆辉华;

    申请日2021-11-26

  • 分类号C01G3/12(20060101);

  • 代理机构43213 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人杨斌;段红玉

  • 地址 410114 湖南省长沙市雨花区万家丽南路960号

  • 入库时间 2023-06-19 14:34:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    公开

    发明专利申请公布

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