首页> 中国专利> 储层水平缝发育程度评价方法、装置、电子设备及介质

储层水平缝发育程度评价方法、装置、电子设备及介质

摘要

本申请公开了一种储层水平缝发育程度评价方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括:将原始偏移距道集转换为地震角道集;针对地震角道集进行AVA反演,计算各向异性参数的变化项;根据各向异性参数的变化项,计算目的层的VTI介质Thomsen参数;根据目的层的VTI介质Thomsen参数,评价储层水平缝发育程度。本发明通过VTI介质纵波反射系数公式结合Gardner关于速度、密度的公式,反演页岩油气储层各向异性参数,评价水平裂缝的发育程度,预测油气储层的甜点。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-15

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号