一种增强抗EOS能力的倒装LED芯片的制作方法

摘要

本申请公开了一种增强抗EOS能力的倒装LED芯片的制作方法，由于在LED制造工艺过程中，第二次电极蒸发的厚度对电压亮度的影响不大，为了降低成本，通常选择将厚度设定在0.5‑1um；通过研究发现，第二次电极蒸发厚度过薄，容易导致抗EOS能力偏弱。本发明提供的方法，通过增加第二次金属电极蒸发的金属叠层的厚度，在不影响光电性能的情况下，大幅度提升LED芯片的抗EOS能力，减少发生EOS事件的几率，提高LED芯片的的使用寿命。