公开/公告号CN114133608A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 湖北华强科技股份有限公司;
申请/专利号CN202111423795.3
申请日2021-11-26
分类号C08J7/04(20200101);C08J3/03(20060101);C08J3/28(20060101);C08L23/22(20060101);C08L83/04(20060101);
代理机构42103 宜昌市三峡专利事务所;
代理人成钢
地址 443000 湖北省宜昌市中国(湖北)自贸区宜昌片区生物产业园东临路499号
入库时间 2023-06-19 14:25:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
公开
发明专利申请公布
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 用于检测硅化物地层拟合温度的晶片,用于制造硅化物地层拟合温度的晶片的方法,用于检测硅化物地层拟合的温度的方法
机译: 一种扩大尺寸的结构中形成硅化物,锗化物或锗硅化物的方法的方法和扩大工艺窗口的方法