一种晶体生长热场动态反射屏调整方法

摘要

本发明公开了一种晶体生长热场动态反射屏调整方法，包括步骤：获取熔体表面的熔体温度，籽晶杆的高度以及反射屏的高度；根据所述熔体温度、所述籽晶杆的高度以及所述反射屏的高度，确定所述熔体上热场的温度梯度；当所述温度梯度没有位于预设梯度范围内时，调整所述反射屏的高度，以使所述温度梯度位于所述预设梯度范围内。由于通过熔体温度，籽晶杆的高度以及反射屏的高度，确定热场的温度梯度，并根据温度梯度，调整反射屏的高度，使得温度梯度位于预设梯度范围内，从而降低晶体内部缺陷密度。此外，也可以提高晶体生长效率较高。