一种基于反应回滞曲线制备TiN涂层的控制方法

摘要

本发明公开了一种基于反应回滞曲线制备TiN涂层的控制方法，包括采用高功率脉冲磁控溅射技术，以Ti金属单质靶为金属靶，N2作为反应气体，基于反应气体通入流量先增加后减小测量金属靶放电电压，完成对反应气体通入流量的最小二乘法回归拟合，横坐标为检测点的反应气体流量，纵坐标为检测点的放电电压，拟合出“反应气体流量‑放电靶电压”反应回滞曲线；在反应气体流量上升和下降过程中，同一个气体流量对应的放电电压的差值达到电压差阈值的区域作为反应回滞曲线的过渡区域，在过渡区域选择反应气体的通入流量，实现在基底表面沉积TiN涂层的化学计量比和制备速率的控制。利用该方法能够简单、高效选取制备参数，以高速率稳定制备TiN涂层。