一种抗HMDSO中毒的双层结构SnO2基甲烷传感器及其制备方法

摘要

本发明属于甲烷传感器制备技术领域，公开一种抗HMDSO中毒的双层结构SnO2基甲烷传感器及其制备方法。所述传感器为旁热式传感器，由Al2O3陶瓷管、两个环状金电极、四条铂丝引线、敏感内层、抗毒外层、铬镍加热丝、六脚管座组成；其中，敏感内层材料为SiO2表面接枝改性SnO2，抗毒外层材料为负载SnO2的氧化铝纤维。制备方法：（1）、制备敏感内层材料‑‑SiO2表面接枝改性SnO2；（2）、制备抗毒外层材料‑‑负载SnO2的氧化铝纤维；（3）、按旁热式传感器的制备工艺先涂覆敏感内层材料，再涂覆抗毒外层材料，制备双层结构SnO2基甲烷传感器。本发明制备的传感器元件可以有效抵抗HMDSO的毒化作用，在V0、Vg、SR等多项指标上均能保持稳定。