一种快速确定3D TLC NAND闪存读参考电压的方法

摘要

本发明公开了一种确定3D TLC NAND闪存读参考电压的方法，涉及NAND闪存技术领域，包括以下步骤：S1.得到3D TLC NAND闪存中的初始默认的参考电压组，开始读取存储数据；S2.判断3D TLC NAND闪存的存储单元类型为FG型或者CT型，若为FG型则执行步骤S3，若为CT型则执行步骤S4；S3.依次读取FG型的3D TLC NAND闪存存储的存储数据，并相应的通过电压调整方法调整其对应的FG型参考电压，并执行步骤S5；S4.依次读取CT型的3D TLCNAND闪存存储的存储数据，并相应的通过电压调整方法调整其对应的CT型参考电压，并执行步骤S5；S5.整理优化后的参考电压得到3D TLC NAND闪存读的优化后的参考电压组，结束程序，解决了现有技术确定3D TLC NAND闪存参考电压中存在的不适应3D堆叠闪，不够具体高效的问题。