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公开/公告号CN114121850A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN202111276591.1
发明设计人 彭博;高岭;王明阳;淦作腾;杜倩倩;吴亚光;
申请日2021-10-29
分类号H01L23/473(20060101);H01L21/48(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人张一
地址 050051 河北省石家庄市合作路113号
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 功率半导体的液冷安装座-堆叠的陶瓷封装半导体沉浸在鳍状金属外壳中的液体中
机译: 大功率发光二极管的陶瓷封装结构及其制造方法
机译:直接在陶瓷封装上的倒装芯片键合LED的芯片/凸点/陶瓷界面分析
机译:由嵌入式外壳内部嵌入式的自然对流流量的不可压缩平滑粒子流体动力学模拟,玉米纤维填充有纳米流体的Y形外壳
机译:基于DBC堆叠混合封装结构的高性能嵌入式SIC电源模块
机译:使用LTCC技术将SiC器件真正嵌入到单片陶瓷封装中
机译:将压电超声马达集成到低温共烧陶瓷封装中,以进行主动光纤对准。
机译:CMOS电容式传感器芯片的低温共烧陶瓷封装可用于电池寿命监控
机译:通过溶液技术制备的氧化铈的物理性质和电导率依赖于烧结陶瓷的氧分压,制备了具有热量的氧化铈的物理性质的制备方法,制备方法和制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法
机译:用于深浸式氧化铝陶瓷圆柱形外壳的探索性评估:第二代NOsC陶瓷外壳