用于扩大操作电压的设备

摘要

本公开涉及用于扩大操作电压的设备。一种装置(100)包括：具有上部半导体层、掩埋半导体层的衬底(101‑106)以及限定有源装置区的DTI结构(107‑108)；在有源装置区中的虚拟LDMOS装置(121)，所述虚拟LDMOS装置(121)包括：在漂移区(105)中的接地漏极(D1)，在延伸以接触掩埋半导体层的主体区(109)中的源极(S1、S2)，形成为使得源极和栅极电极的至少一部分与主体注入区连接的栅极电极(G1‑G4)，以及与所述DTI结构相邻的缓冲半导体层部分(104)；以及定位在所述有源装置区中的一个或多个有源LDMOS装置(122)，所述一个或多个有源LDMOS装置(122)将通过所述虚拟LDMOS装置(121)与所述DTI结构分离，所述虚拟LDMOS装置(121)减小所述DTI结构中的侧壁绝缘体层(107)上的电场。