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嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构

摘要

本发明涉及一种嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构,包括数控衰减器、第一SPDT开关、第二SPDT开关、第三SPDT开关、第四SPDT开关、第五SPDT开关、第一固定值衰减器、第二固定值衰减器和第三固定值衰减器,所述的数控衰减器与信号输入接口相连,所述的第一SPDT开关的一端与数控衰减器相连,所述的第三SPDT开关的一端与信号输出接口相连,所述的第一固定值衰减器的一端与第四SPDT开关相连,所述的第三固定值衰减器的一端与第五SPDT开关相连。采用了本发明的嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构,减少前级链路中的数控衰减器数量,降低器件成本与电路控制难度。同时,数控衰减器与隔离开关复用开关器件,既保证了端口之间的隔离度,也不会增加链路插入损耗。

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法律信息

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    法律状态

  • 2022-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03H11/24 专利申请号:2021114222089 申请日:20211126

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