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用于对多页数据进行编程的非易失性存储器设备的操作方法

摘要

一种用于对多页数据进行编程的非易失性存储器设备的操作方法,该操作方法包括:从存储器控制器接收多页数据;将多页数据当中的第一页数据编程到连接到与选择的字线相邻的字线的第一存储器单元;在对第一页数据进行编程之后,基于第一感测值和第二感测值来读取先前存储在连接到选择的字线的第二存储器单元中的先前页数据;通过将基于第一感测值读取的先前页数据的第一位与基于第二感测值读取的先前页数据的第二位进行比较来计算第一失败位数;并且基于第一失败位数将从第二存储器单元读取的先前页数据和多页数据当中的第二页数据编程到第二存储器单元。

著录项

  • 公开/公告号CN114078529A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN202110760456.8

  • 申请日2021-07-06

  • 分类号G11C16/10(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人岳永娟

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/10 专利申请号:2021107604568 申请日:20210706

    实质审查的生效

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