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非易失三维存储单元、存储方法、芯片组件和电子设备

摘要

本申请的实施例公开了一种非易失三维存储单元、存储方法、芯片组件和电子设备。易失性存储芯片用于存储数据。接口芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片三维堆叠连接。非易失性存储芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片和接口芯片中至少之一三维堆叠连接,以形成非易失三维存储单元。其中,接口芯片包括通信协议电路,通信协议电路用于存储通信协议。数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式写入易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一;和,数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式从易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一被读取。通过上述设置,提高了数据的传输效率,增大了处理数据的带宽,并且提高了数据存储的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN114049905A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111544069.7

  • 发明设计人 左丰国;周骏;侯彬;

    申请日2021-12-16

  • 分类号G11C11/00(20060101);G11C7/10(20060101);

  • 代理机构11570 北京众达德权知识产权代理有限公司;

  • 代理人查薇

  • 地址 710075 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼

  • 入库时间 2023-06-19 14:11:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-15

    公开

    发明专利申请公布

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