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公开/公告号CN114035641A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院;
申请/专利号CN202111296272.7
发明设计人 李娅妮;张佐已;皇甫自宽;朱樟明;杨银堂;
申请日2021-11-03
分类号G05F1/567(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王海栋
地址 401332 重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼1单元
入库时间 2023-06-19 14:09:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:2021112962727 申请日:20211103
实质审查的生效
机译: 一种用于带隙基准电路的高汽车电路的操作方法,用于辅助带隙基准电路的启动的方法以及用于执行该方法的电子电路
机译: 具有带隙基准电路和启动电路的电子电路以及带隙基准电路的启动方法
机译:考虑带隙能量的热依赖性,重新分析基本带隙基准电压电路
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:具有高效整流器和低温系数带隙基准电压的能量收集电路
机译:具有集成电压基准分支的功率和面积高效CMOS带隙基准电路
机译:CMOS带隙基准电路。
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:具有V曲线校正电路的高精度带隙基准
机译:用于单片带隙基准和温度传感器的双极晶体管