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一种高纯一氧化氮的制备方法及其在半导体制程中的应用

摘要

本发明涉及一氧化氮气体纯化技术领域,公开了一种高纯一氧化氮的制备方法及其在半导体制程中的应用。该制备方法包括以下步骤:将一氧化氮原料气从下部通入FeSO4吸附塔内,在塔内形成向上的涡流,并将FeSO4溶液经由螺旋状喷淋管从螺旋喷嘴喷入FeSO4吸附塔内,FeSO4吸附塔内设有磁场强度从上到下递增的梯度磁场,获得吸附液;将吸附液升温后,通入NO解吸塔中进行解吸,解吸出的气体从塔顶通入深冷冷凝器中,再通入硅胶吸附塔中,进行硅胶吸附处理。本发明采用具有特殊结构的FeSO4吸附塔对原料气中的NO进行吸收,能够减少NO的歧化,并促进FeSO4溶液将NO从原料气中分离出来,有利于获得更高纯度的高纯一氧化氮。

著录项

  • 公开/公告号CN114014281A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江陶特容器科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202210005384.0

  • 发明设计人 甘华平;秦远望;王战思;李涛;

    申请日2022-01-05

  • 分类号C01B21/24(20060101);B01D53/04(20060101);B01D53/56(20060101);B01D53/78(20060101);B01D53/96(20060101);

  • 代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;

  • 代理人何俊

  • 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市周王庙镇之江路30号

  • 入库时间 2023-06-19 14:08:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-08

    公开

    发明专利申请公布

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