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上转换发光材料在光学隐形防伪方面的应用方法

摘要

一种上转换发光材料在光学隐形防伪方面的应用方法,其特征在于:用NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶和Nd3+离子掺杂的NaYF4:Nd3+/Yb3+/Er3+纳米晶或Mn2+离子掺杂的NaYF4:Mn2+/Yb3+/Er3+纳米晶和Nd3+离子掺杂的NaYF4:Nd3+/Yb3+/Er3+纳米晶叠加绘制图案,在特定激发光波长980 nm、808 nm下实现图案不同区域的光学分布显示从而实现叠加图案的暗码信息的光学双层防伪的应用方法。本发明使用的纳米晶分散性好,稳定性好,光学性能稳定,且上转换荧光为锐线光谱,应用于光学分布显示及暗码信息的双层防伪分辨率高。

著录项

  • 公开/公告号CN114015446A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 甘肃农业大学;

    申请/专利号CN202111486352.9

  • 申请日2021-12-08

  • 分类号C09K11/85(20060101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构62202 兰州嘉诺知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郭海

  • 地址 730000 甘肃省兰州市安宁区营门村1号

  • 入库时间 2023-06-19 14:08:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-11

    授权

    发明专利权授予

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