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公开/公告号CN114005942A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 桂林电子科技大学;
申请/专利号CN202111366089.X
发明设计人 陈乐;方博闻;罗炜;孙嘉伟;
申请日2021-11-18
分类号H01L51/42(20060101);H01L51/44(20060101);
代理机构
代理人
地址 541004 广西壮族自治区桂林市桂林金鸡路1号
入库时间 2023-06-19 14:05:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-01
公开
发明专利申请公布
机译: 利用阳极氧化工艺及光陷获结构制造光陷获结构的方法
机译: 定义了用于光陷印的纹理的光敏成像器及相关方法
机译: 多晶硅太阳能电池的光陷印纹理表面的制造方法
机译:结合减反射亚波长结构和陷光纹理,增强薄膜硅太阳能电池的光电流
机译:高性能双面透明钙钛矿太阳能电池的光工程
机译:量身定制的纳米球混合物对太阳能电池的光陷印前纹理:数值研究
机译:1366 Texture ?:双深蜂窝光陷印纹理
机译:通过结构光进行三维形状估计和纹理提取的系统。
机译:使用带纹理的基板通过添加Ag纳米粒子在钙钛矿太阳能电池中的光俘获效应
机译:光捕获纳米纹理基材的高效钙钛矿太阳能电池的设计与分析
机译:自然纹理辨析:一种神经网络结构。