基于脉冲式单一离子束沉积工艺系统

摘要

本发明提供一种基于脉冲式单一离子束沉积工艺系统，包括如下步骤：步骤一：将工作气体引入放电室内，在气压和磁场的双作用下产生等离子体；步骤二：通过引出栅极将离子束引出到放电室外；离子束辅助沉积系统，依次包括放电室、离子束引出栅、聚焦磁场、离子能量选择器、能量调节电磁场及扩束磁场。本技术主要应用于光学薄膜制造及材料研究领域。在薄膜制备或生长过程中，采用单能量的离子束进行轰击正在生长的薄膜，从而使膜层更加致密，与基体的附着力增强，改善成膜质量；利用该技术，可镀制性能良好的金属反光膜、棱镜分色膜、增透膜、滤光膜、抗电磁绝缘膜、大面积紫外激光高反膜等。