一种基于时间序列模型的MOSFET寿命预测方法

摘要

本发明公开了一种基于时间序列模型的MOSFET寿命预测方法，其包括以下步骤：S1、通过实验获取MOSFET器件的老化数据；S2、数据预处理与建立数据模型；S3、自回归移动平均模型的参数选取与模型训练；S4、基于时间序列模型的寿命预测。本发明使用了时间序列模型来对MOSFET器件进行寿命预测，该方法操作简便，准确性高，能够提高功率MOSFET器件的使用可靠性。