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自补气式双腔等离子体合成射流激励器

摘要

公开一种自补气式双腔等离子体合成射流激励器,包括顶盖、主腔体、副腔体和电极;主腔体、顶盖与传统等离子体合成射流激励器相同,副腔体结构尺寸与主腔体大致相同。自补气式双腔等离子体合成射流激励器的工作过程分为能量沉积阶段、射流/储气阶段、双孔补气阶段三个阶段。在高频工作下,单个周期内激励器吸气恢复时间减小,上腔体内的气压不断降低,这时在压差作用下,下腔体内气压更高的气体通过补气孔进入上腔体,提高上腔体内气体压力和密度,推迟激励器“哑火”现象的发生,从而提高激励器工作的饱和频率。

著录项

  • 公开/公告号CN113993266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军空军工程大学;

    申请/专利号CN202111218226.5

  • 申请日2021-10-19

  • 分类号H05H1/34(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 710051 陕西省西安市长乐东路甲字1号空军工程大学

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-28

    公开

    发明专利申请公布

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