首页> 中国专利> 一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法

一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法

摘要

本发明公开了一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法,所述光电阴极包括纳米孔阵列、GaAs发射层和CsO吸附层,所述纳米孔阵列构建在GaAs发射层的上表面,所述CsO吸附层构建于GaAs发射层的下表面。本发明通过等效介质理论,可以将纳米孔阵列等效成一层新的介质,这层新介质的折射率介于真空与GaAs材料之间,能够缓解两者的折射率突变,降低入射光的反射率,提高GaAs发射层对于光的吸收率,从而有效增强光电阴极的性能,可应用于微光像增强器、电子显微镜和新型太阳能电池等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN113972288A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京理工大学;

    申请/专利号CN202111210171.3

  • 申请日2021-10-18

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/109(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构32203 南京理工大学专利中心;

  • 代理人岑丹

  • 地址 210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号

  • 入库时间 2023-06-19 14:00:21

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号