基于生长调节剂诱导霍山石斛抗温度逆境育种的培养装置

摘要

本发明公开了基于生长调节剂诱导霍山石斛抗温度逆境育种的培养装置，涉及石斛技术领域，针对现有的培养装置培养效果较差的问题，现提出如下方案，其包括壳体以及开设在壳体内部的培养腔一、培养腔二和驱动腔，所述培养腔一和培养腔二的内部设有用以培养霍山石斛的培养组件。本发明通过设置多种生长调节剂诱导霍山石斛进行生长，且可在诱导霍山石斛生长的过程中，为霍山石斛提供不同的生长环境温度，从而培养出抗逆性强的优质霍山石斛，培养效果好，并且可简单方便的将培养当中的霍山石斛输送到相应的培养腔中，使用方便，工作性能高。