一种新型自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

摘要

本发明提出一种新的自对准结构的功率Trench MOSFET，其Trench槽和接触孔(接触沟槽)由一张掩模版确定，能极大地缩小Trench Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。