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一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法

摘要

本发明涉及一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法。所述器件包括透明衬底、透明导电层、透明绝缘层、铜锌锡硫硒介质层、源电极和漏电极;所述透明衬底,作为器件硬支撑和光输入窗口;所述透明导电层形成于透明衬底上方,作为器件施加电信号的端子;所述透明绝缘层形成于透明导电层上方;所述铜锌锡硫硒介质层形成于透明绝缘层上方并与之接触良好,作为沟道材料使用;所述源电极和漏电极设置于铜锌锡硫硒上方并与之接触良好。本发明通过透明衬底引入激励光,实现红外光对源漏电导的调制,不仅有利于光电协同控制源漏电导,还进一步拓展突触器件响应的光谱范围。

著录项

  • 公开/公告号CN113964220A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 闽都创新实验室;

    申请/专利号CN202111186205.X

  • 发明设计人 赖云锋;宁玥;何业法;

    申请日2021-10-12

  • 分类号H01L31/032(20060101);H01L31/112(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人李晓莉

  • 地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号

  • 入库时间 2023-06-19 13:57:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-01

    授权

    发明专利权授予

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