一种以Ti3SiC2为前驱体制备二维材料Ti3C2的方法

摘要

本发明公开了一种以Ti3SiC2为前驱体制备二维材料Ti3C2的方法，具体方案为将前驱体材料Ti3SiC2首先低温预氧化一段时间，然后在HF化学环境刻蚀制备。该方法简单易行，丰富了Ti3C2二维材料的合成方法，采用的前驱体原料成本更低，制备工艺可控，所合成的材料可应用在超级电容器、电池、催化等领域。