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薄膜电容组及适用于高压SiC MOSFET模块的低杂感母排

摘要

本申请涉及功率器件,公开了一种薄膜电容组及适用于高压SiC MOSFET模块的低杂感母排,适用于高压SiC MOSFET模块的低杂感母排包括多个薄膜电容组,薄膜电容组连接于一块PCB基板上,PCB基板每一面上的薄膜电容组分别阵列设置,且正反两面的薄膜电容组错开设置,且薄膜电容组均靠近SiC MOSFET模块的功率模块接口设置,薄膜电容组包括两块低压薄膜电容,两块低压薄膜电容1通过PCB板连接。本申请提供的薄膜电容组及适用于高压SiC MOSFET模块的低杂感母排,极大降低了SiC MOSFET模块吸收电容母排的成本,降低了吸收电容母排的杂感,降低了制造难度,提高了整个电容母排的功率密度。

著录项

  • 公开/公告号CN113936919A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 忱芯电子(苏州)有限公司;

    申请/专利号CN202111342206.9

  • 发明设计人 刘弘耀;毛赛君;陈俊;

    申请日2021-11-12

  • 分类号H01G4/33(20060101);H01G4/38(20060101);H05K1/18(20060101);H02M1/00(20070101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 215200 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号

  • 入库时间 2023-06-19 13:54:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-11

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01G 4/33 专利申请号:2021113422069 申请公布日:20220114

    发明专利申请公布后的撤回

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