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从低品位辉钼矿中制备氧化钼的方法

摘要

本发明公开了从低品位辉钼矿中制备氧化钼的方法,涉及钼冶金技术领域。具体公开了:将低品位辉钼矿破碎,常温下与熔剂、吸波物质混合,然后将混合物升温至550‑600℃,反应1.5‑1.6h;之后升温至750℃‑900℃,保温40‑50min,冷却蒸汽,收集三氧化钼;熔剂为NaOH与Na2CO3摩尔比1.3‑1.5:0.8‑1的混合物。本发明在低品位辉钼矿中添加特定熔剂及吸波物质,结合微波焙烧方式,以简单的工艺流程制备得到了高纯度的三氧化钼。本发明工艺简单、对设备要求低,制备得到的三氧化钼产品纯度极高,能够满足从低品位辉钼矿中制备高纯度三氧化钼的现实需求,具有重要的实际应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN113912122A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN202111451868.X

  • 发明设计人 刘秉国;周俊文;

    申请日2021-12-01

  • 分类号C01G39/02(20060101);

  • 代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李娜

  • 地址 650093 云南省昆明市学府路253号

  • 入库时间 2023-06-19 13:52:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G39/02 专利申请号:202111451868X 申请公布日:20220111

    发明专利申请公布后的驳回

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