公开/公告号CN113921492A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 力成科技股份有限公司;
申请/专利号CN202010975723.9
申请日2020-09-16
分类号H01L23/488(20060101);H01L21/60(20060101);
代理机构11355 北京泰吉知识产权代理有限公司;
代理人史瞳;谢琼慧
地址 中国台湾新竹县
入库时间 2023-06-19 13:51:08
机译: 在半导体元件内部产生电连接的方法以及用于半导体元件的电连接
机译: 半导体元件,即肖特基二极管,具有金属化结构,该金属化结构通过肖特基接触与补偿区电连接,并通过欧姆接触与漂移区电连接,其中该结构与另一结构相对布置
机译: 半导体元件的连接孔,其形成,半导体元件的布线结构以及半导体元件