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用于半导体元件电连接的复合结构及其制作方法与半导体元件

摘要

一种用于半导体元件电连接的复合结构,设置在一具有金属层的半导体基材上,并包含一形成于金属层上的凸块、一位于凸块顶面的耐蚀层,及一形成于耐蚀层上并具有数个规则排列的凸部及至少一凹槽的图案化接合层,当要将具有此复合结构的半导体基材与另一半导体芯片接合时,可利用焊料作为接合剂,接合时部分焊料可进入凹槽中,因此可增加焊料与复合结构的接触面积以提升接着强度,还可避免焊料因芯片间的挤压而外溢,进而造成短路或半导体元件损毁的情形产生。另外,本发明还提供此复合结构的制作方法,及利用所述复合结构作为内部电连接的半导体元件。

著录项

  • 公开/公告号CN113921492A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 力成科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202010975723.9

  • 发明设计人 黄仕璋;刘育成;

    申请日2020-09-16

  • 分类号H01L23/488(20060101);H01L21/60(20060101);

  • 代理机构11355 北京泰吉知识产权代理有限公司;

  • 代理人史瞳;谢琼慧

  • 地址 中国台湾新竹县

  • 入库时间 2023-06-19 13:51:08

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