退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN113924622A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202080041743.7
发明设计人 V·S·拉梅什;
申请日2020-04-17
分类号G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);G11C7/06(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 13:51:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-09
授权
发明专利权授予
机译: 内存阵列外围中的位串累积
机译: 在包括故障数据位的缓存存储器的数据位阵列中写入数据的方法和从包括故障数据位的缓存存储器的数据位阵列中读取数据的方法
机译:Ramtron的2兆位串行非易失性F-RAM存储器
机译:具有高速缓冲存储器的流水线8位串行单通量量子微处理器的设计与实现
机译:尾位跟踪电路具有降级的VGS位单元模拟阵列,可将三元内容可寻址存储器中的搜索时间缩短50%,并将Vmin提高200mV
机译:具有45nm CMOS SOI技术的具有32:1串行器的2位1Gsps ADC阵列
机译:外围膜蛋白在支持的脂质双层上的横向扩散受1)结合脂质和2)渗透到双层烃核中的蛋白质结构域的累加摩擦阻力控制
机译:字符串B树:用于外部存储器中字符串搜索的新数据结构及其应用
机译:位串物理中的第二个量化