一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法

摘要

本发明公开了一种二氧化钼纳米薄膜的溅射制备方法，包括以下步骤：(1)将清洁衬底固定于真空腔内位于靶材正前方的夹具筒的筒壁上或靶材侧的真空腔腔壁上，夹具筒可以绕中轴线旋转，其中轴线与靶材表面平行，夹具筒筒壁与靶材表面的最小距离在2cm以上；(2)将真空腔抽真空，然后通入工作气体；(3)、开启控制二氧化钼靶直流阴极电源的射频阴极电源，使靶前产生等离子体，对靶进行溅射；(4)、在靶材表面施加300V～900V的频率低于100KHz的交流电压进行中低频磁控溅射；(5)、对溅射的二氧化钼层进行退火热处理。本发明具有很高的溅射沉积速率：相较于同等尺寸靶材和相同溅射功率下的射频磁控溅射的沉积速率快2～5倍，可以有效提高生产效率和薄膜质量。