一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件制造方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体是涉及一种特征尺寸在亚微米量级的柔性电子器件的制造。其特征在于：利用传统光刻工艺设备实现柔性微纳器件的制造，具体包括作为基底材料的柔性聚合物，如聚酰亚胺(Polyimide，PI)，所述基底材料上通过光刻工艺沉积金属电极制备柔性衬底，所述柔性衬底作为微纳电子器件的载体，所述微纳电子器件通过电子束曝光工艺和金属蒸镀工艺制得金属电极作为源极与漏极的输入。本发明的有益效果是可以实现批量生产柔性微纳器件衬底，同时其在构建电极图形上具有较高的灵活性，对于器件复杂电学结构的搭建提供了很高的便捷性，适用范围更广。