利用聚合物沉积技术保护管芯隅角

摘要

本申请涉及通过使用聚合物沉积技术的管芯隅角保护。一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法包括在组件的第一表面上沉积第一涂层。组件包括具有多个半导体管芯以及第一表面和第二表面的管芯晶片。在相邻的半导体管芯之间移除管芯晶片的第一部分和第一涂层，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得管芯隅角形成在沟槽的任一侧上。在管芯组件的第一表面上沉积保护涂层，以覆盖管芯隅角、沟槽和第一涂层的至少一部分。选择性地移除第一涂层，使得保护涂层的覆盖管芯隅角和沟槽的部分保留在管芯晶片上。将相邻的半导体管芯彼此分离，并且使保护涂层保持覆盖管芯隅角。