用于堆叠纳米带2D晶体管的电荷转移间隔体

摘要

实施例包括二维(2D)半导体片晶体管以及形成这种器件的方法。在实施例中，一种半导体器件包括2D半导体片的堆叠体，其中，所述2D半导体片中的个体2D半导体片具有第一端和与第一端相对的第二端。在实施例中，第一间隔体在所述2D半导体片的第一端之上，并且第二间隔体在所述2D半导体片的第二端之上。实施例还包括在第一间隔体与第二间隔体之间的栅电极、与所述2D半导体片的第一端相邻的源极接触部和与所述2D半导体片的第二端相邻的漏极接触部。