一种中低烧温度稳定型的介质材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种中低烧温度稳定型的介质材料及其制备方法，由主成分经溶解、烧结步骤制备获得，所述主成分由BaTiO3、Nb(OH)5、Cu(NO3)2、Ti(OC4O9)4、Bi(NO3)3·5H2O、NaNO3·H2O、Zn(NO3)2·6H2O、Ba(NO3)2、硼酸三丁酯、硅酸四乙酯组成。本发明所制备的介质陶瓷的烧结温度低、温度稳定性优异，配方原料廉价，制备工艺简单，烧结温度为900℃，材料室温介电常数达896、室温介电损耗为0.019，在‑55℃～200℃温度范围内容温变化率不超过±15％，室温电阻率为6.5×1011，达到了满足X9R特性的多层陶瓷电容器介质陶瓷的要求。