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半导体结构、感光装置以及感光系统

摘要

本发明提供了一种半导体结构、感光装置以及感光系统,半导体结构包括呈阵列排布的多个第一像素单元,第一像素单元具有中心区域和设置于中心区域外的外围区域,其中,于中心区域上设置有以第一密度排布的多个第一微结构,第一微结构具有第一吸光度,于外围区域上设置有以第二密度排布的多个第二微结构,第二微结构具有第二吸光度,且其中,第一密度大于第二密度,第一吸光度不小于第二吸光度,本发明通过在第一像素单元的中心区域设置密度最大、且吸光度不小于位于外围区域的第二微结构的第一微结构,可以保证每个第一像素单元所吸收的光可以最大程度地集中在其中心位置处,并保证了相邻的第一像素单元之间不会发生串扰。

著录项

  • 公开/公告号CN113903759A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉市聚芯微电子有限责任公司;

    申请/专利号CN202111501142.2

  • 发明设计人 陈裕仁;施怡鹏;权锐;邹仁亭;

    申请日2021-12-09

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司;

  • 代理人熊恒定

  • 地址 430270 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城C4栋9楼

  • 入库时间 2023-06-19 13:33:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-25

    授权

    发明专利权授予

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