公开/公告号CN113887099A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利号CN202111149830.7
申请日2021-09-29
分类号G06F30/23(20200101);G06F111/10(20200101);G06F119/08(20200101);G06F119/14(20200101);
代理机构42104 武汉开元知识产权代理有限公司;
代理人潘杰
地址 100031 北京市西城区西长安街86号
入库时间 2023-06-19 13:32:21
机译: 使用晕环注入阴影形成具有不同阈值电压的晶体管器件的方法
机译: 利用晕圈植入阴影形成具有不同阈值电压的晶体管器件的方法
机译: 通过晕圈补偿和掩模制造具有多个阈值电压的mosfet晶体管的方法