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一种形状记忆合金中空微点阵材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种形状记忆合金中空微点阵材料及其制备方法,配方包括:等原子比的NiTi合金,组分的重量百分比是:100%的NiTi合金;制备方法,包括步骤一,聚合物掩模加工;步骤二,NiTi合金膜层溅射成型;步骤三,中空微点阵材料获取;步骤四,具有记忆效应的NiTi合金中空微点阵材料获取;该发明所制备的中空微点阵材料的结构可设计性强;得到形状记忆合金膜中空微点阵材料的方法简便、易行,可通过控制溅射时间控制膜层厚度,可实现了管壁厚度在50nm~20μm之间的调控;本发明所制备的微点阵材料具有轻质、超弹性、突出的记忆效应、高阻尼、能量吸收和生物相容性;相对于其他沉积方法,通过磁控溅射技术的使用,材料选择广泛和膜层均匀性较好。

著录项

  • 公开/公告号CN113862519A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202111200191.2

  • 发明设计人 王永静;吴雨豪;朱晓东;陈亚奇;

    申请日2021-10-14

  • 分类号C22C19/03(20060101);C23C14/20(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);C21D1/26(20060101);C22F1/02(20060101);C22F1/10(20060101);

  • 代理机构11833 北京化育知识产权代理有限公司;

  • 代理人秦丽

  • 地址 710000 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 13:30:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22C19/03 专利申请号:2021112001912 申请公布日:20211231

    发明专利申请公布后的驳回

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