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一种可电场调节磁电阻的自旋阀结构及其制备工艺

摘要

一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构,其特征在于:以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层,制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构,通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于:传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向,实现对磁电阻两种状态的调控,而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应,通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向,来影响钉扎层的磁域方向,实现对磁电阻两种状态的调控,即可被电场读写的磁性自旋阀。

著录项

  • 公开/公告号CN102129863B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201010608783.3

  • 发明设计人 姜勇;苗君;张欣;张德林;徐晓光;

    申请日2010-12-17

  • 分类号

  • 代理机构北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘淑芬

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2011-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/39 申请日:20101217

    实质审查的生效

  • 2011-07-20

    公开

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