公开/公告号CN113694939A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN202010438761.0
申请日2020-05-22
分类号B01J27/051(20060101);B01J37/10(20060101);C02F1/30(20060101);C02F1/72(20060101);C02F101/36(20060101);C02F101/38(20060101);
代理机构
代理人
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2023-06-19 13:26:15
机译: MoS2 / MoS2 /碳纳米复合材料的制备方法
机译: 用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
机译: 改性的Zno颗粒的制备方法,改性的Zno颗粒,在材料中掺入改性的Zno颗粒的方法以及使用改性的Zno颗粒