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一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用

摘要

本发明涉及复相陶瓷技术领域,具体涉及一种高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用;该复相陶瓷包括如下摩尔组分的混合料:过渡金属碳化物(碳化钛、碳化锆、碳化铪、碳化铌、碳化钽、碳化钒、碳化铬、碳化钼、碳化钨)中的5~9种,每种0~1份,碳化硼粉2.5~9份,硅粉7.5~18份,碳化硅粉0~27份;该高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷密度<5.3g/cm3,致密度≥95%,维氏硬度Hv5≥19GPa;本发明实现了轻质、高强、高硬高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷的快速原位自生制备,且烧结温度低,因而在超高温材料、超硬材料、陶瓷刀具等领域具有广泛的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113698209A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽工业大学科技园有限公司;

    申请/专利号CN202110866044.2

  • 发明设计人 王东;冉松林;丁祥;金星;李庆归;

    申请日2021-07-29

  • 分类号C04B35/573(20060101);C04B35/58(20060101);C04B35/626(20060101);C04B35/645(20060101);

  • 代理机构34153 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王林

  • 地址 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区(示范园区)嘉善科技园1号科研楼

  • 入库时间 2023-06-19 13:24:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    授权

    发明专利权授予

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