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硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备

摘要

本申请提供了一种硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备。所述硅片载台包括:载台,所述载台上表面具有盲孔;高度能够调整的支撑柱,所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔,用于支撑置于所述载台上表面的硅片;所述支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化,以适应载台由于温度变化而产生的形变。通过在载台上设置盲孔,将所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔,防止了支撑柱的移动,进而防止了置于支撑柱上的硅片移动。将所述支撑柱设置为高度可调整的结构,解决了更换底座使得设备成本的增加和制程时间的延长的问题,一个硅片载台就能够适用于不同的工艺制程,提高了半导体设备的生产效率。

著录项

  • 公开/公告号CN113684470A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN202110958889.4

  • 发明设计人 刘兵;

    申请日2021-08-20

  • 分类号C23C16/458(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/687(20060101);

  • 代理机构31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人孙佳胤

  • 地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

  • 入库时间 2023-06-19 13:23:06

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