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具有微结构的半导体盘形激光器

摘要

本发明提供一种半导体盘形激光器,所述半导体盘形激光器包括作为辐射散射区域的微结构,在辐射散射区域中,较高阶模比基模经历更大的损耗。微结构允许扩大基模的有效面积,因此允许以高光束质量提高发射功率。在外延方向上,该半导体盘形激光器包括布拉格反射器、用于产生激光辐射的有源区以及盖层。

著录项

  • 公开/公告号CN113690731A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 通快两合公司;

    申请/专利号CN202010427842.0

  • 申请日2020-05-19

  • 分类号H01S5/065(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人周家新

  • 地址 德国迪琴根

  • 入库时间 2023-06-19 13:21:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-25

    著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/065 专利申请号:2020104278420 变更事项:申请人 变更前:通快两合公司 变更后:通快欧洲股份公司 变更事项:地址 变更前:德国迪琴根 变更后:德国迪琴根

    著录事项变更

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