形成具有氮化钛导电结构的设备的方法，以及相关的设备和系统

摘要

本申请涉及形成具有氮化钛导电结构的设备的方法，以及相关的设备和系统。形成微电子装置的方法包括在前体结构之上形成氮化钛(TiN)材料。形成所述TiN材料包含重复以下循环：使含钛气体邻近前体结构流动；使还原气体在所述前体结构之上流动；使含氮气体在所述前体结构之上流动；以及在使所述含氮气体流动之前和之后，吹扫气体。还描述了相关微电子装置和相关电子系统。