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用于总线接口装置的负电压保护

摘要

本发明公开了用于总线接口装置的负电压保护。描述了总线接口总线。在总线上,第一逻辑状态由较高电压电平传达并且第二逻辑状态由较低电压电平传达。接口的输出级包括:功率晶体管,该功率晶体管被配置成将较低电压电平驱动至总线上以传达第二逻辑状态;以及在功率晶体管与总线之间的保护装置。保护装置在被导通时将功率晶体管耦接至总线以及在被关断时限制功率晶体管处的负电压偏移。接口的控制电路被配置成在总线电压高于较低电压电平时导通保护装置以及在总线电压处于较低电压电平或者低于较低电压电平时关断保护装置。

著录项

  • 公开/公告号CN113659525A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 赛普拉斯半导体公司;

    申请/专利号CN202110505267.6

  • 发明设计人 宫前亨;富田一弘;冈田浩司;

    申请日2021-05-10

  • 分类号H02H3/24(20060101);H02H7/20(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘雯鑫;侯艳超

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 13:16:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02H 3/24 专利申请号:2021105052676 申请日:20210510

    实质审查的生效

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