用于碳化硅电荷平衡功率器件中的终端的系统和方法

摘要

一种碳化硅(SiC)电荷平衡(CB)器件(4)包括CB层(18A)，该CB层包括第一外延(epi)层(14A)。第一epi层的有源区域(6)包括第一导电类型的第一掺杂浓度和第二导电类型的第一多个CB区(34)。第一epi层的终端区域(10)包括第一导电类型的最小epi掺杂浓度。SiC‑CB器件还包括器件层(16)，该器件层包括设置在CB层上的第二epi层(14Z)。第二epi层的有源区域(6)包括第一导电类型的第一掺杂浓度。器件层(16)的终端区域(10)包括第一导电类型的最小epi掺杂浓度和第二导电类型的第一多个浮空区(68)，该第一多个浮空区形成器件的结终端(12Z)。