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以硫酸氧钛为钛源的制备钛基纳米自清洁薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种以硫酸氧钛为钛源的制备钛基纳米自清洁薄膜的方法,属于纳米钛基薄膜制备技术领域。本发明为克服现有钛基薄膜的问题,提供了一种以硫酸氧钛为钛源的制备钛基纳米自清洁薄膜的方法,包括:以TiOSO4固体为钛源、加入聚乙二醇制备钛基水溶胶;基片处理;镀膜;热处理。本发明以价格低廉的硫酸氧钛为钛源,以反应温和的溶胶凝胶法制备稳定性极佳的钛基水溶胶,通过涂布或提拉等手段将溶胶均匀涂抹在待保护载体表面,并通过热处理将钛基水溶胶转换为钛基薄膜。本发明钛基纳米自清洁薄膜具有较宽的禁带宽度、较强的机械强度、良好的化学稳定性、抗磨损性、低成本、无毒性,且具有良好的光催化性能。

著录项

  • 公开/公告号CN113620613A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111055670.X

  • 发明设计人 李文靓;彭穗;辛亚男;

    申请日2021-09-09

  • 分类号C03C17/25(20060101);

  • 代理机构51124 成都虹桥专利事务所(普通合伙);

  • 代理人许泽伟

  • 地址 610306 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都市青白江区城厢镇香岛大道1509号(铁路港大厦A区13楼A1301-1311、1319室)

  • 入库时间 2023-06-19 13:13:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-11-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C17/25 专利申请号:202111055670X 申请公布日:20211109

    发明专利申请公布后的驳回

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