一种新型双台面碳化硅SACM单光子探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型双台面碳化硅SACM单光子探测器及其制备方法，该单光子探测器制备于n型SiC衬底上，采用n+/n‑/n/n‑/p结构或p+/p‑/p/p‑/n结构；所述单光子探测器从顶部至雪崩层的上表面刻蚀有小角度倾斜台面，小角度倾斜台面的底角小于10°，且小角度倾斜台面采用半台面结构；所述小角度倾斜台面的下台面至底部接触层刻蚀有垂直台面，形成深槽隔离；所述垂直台面的直径大于小角度倾斜台面下台面的直径。本发明能够提高器件填充因子和芯片利用率，优化SiC SACMAPD的有效光敏区域；通过垂直台面刻蚀实现相邻器件之间的电学隔离和光学隔离。