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一种高价态金属原子可控掺杂羟基氧化钴及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种高价态金属可控掺杂羟基氧化钴的及其制备方法与应用。具体地说,该方法利用含有钴源的沸石咪唑酯骨架‑67(ZIF‑67)作为模板,再通过水热反应将钼酸盐和钨酸盐引入到在模板上原位生长的羟基氧化钴中,即得到目标产物。该方法所制备的材料具有规整均一的立方体空心框架结构,整个框架结构是由许多二维层状羟基氧化物相互交联而成,钼(Mo6+)和钨(W6+)原子均匀可控的掺杂在羟基氧化钴纳米片的晶格中。该材料用于电催化析氧反应具有较高的活性。本方法具有简单可行,易于操作的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN113546637A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院大连化学物理研究所;

    申请/专利号CN202010323139.5

  • 发明设计人 邓德会;唐雷;

    申请日2020-04-22

  • 分类号B01J23/888(20060101);C25B11/091(20210101);C25B1/04(20210101);

  • 代理机构21212 大连东方专利代理有限责任公司;

  • 代理人毛薇;李馨

  • 地址 116000 辽宁省大连市沙河口区中山路457号

  • 入库时间 2023-06-19 13:00:48

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