首页> 中国专利> 一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法

一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法

摘要

本发明提供了一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法。包括低温控制系统、RHEED系统、衬底台、衬底台升降器、中空Z轴驱动器、真空系统。通过调节衬底台与换热装置的相对距离在低温和高温两种工作模式间进行切换。低温工作模式:衬底台背面和换热装置底端完全接触,适于二维材料的低温晶体结构测试和低熔点金属薄膜制备;高温工作模式:换热装置远离衬底台,高真空环境保证了极小的气体对流漏热。本发明在RHEED系统中集成低温控制系统,为二维材料的晶体结构测试提供了低温环境。其中,本发明的有益效果是:结构简单,操作方便,适合原位二维材料的低温晶体结构分析且不破坏样品结构。

著录项

  • 公开/公告号CN113533397A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN202110744044.5

  • 申请日2021-07-01

  • 分类号G01N23/20058(20180101);G01N23/20008(20180101);G01N23/20033(20180101);

  • 代理机构31363 上海国瓴律师事务所;

  • 代理人傅耀

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-06-19 12:57:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-07

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号