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基于D-A共轭聚合物半导体的室温类Stille交叉偶联共聚反应

摘要

本发明提供了一种基于芳基二硫醚和芳基二锡烷在室温条件下的类Stille交叉偶联方法制备D‑A共轭聚合物半导体。采用惰性气体保护,在Pd(PPh3)4和CuTC催化剂共同的催化作用下,将芳基二硫醚和芳基二锡烷置于甲苯中,并在室温条件下进行反应,得到混合物。将混合物滴入甲醇中沉淀过滤,并将沉淀物采用索氏提取器通过丙酮、正己烷、氯仿及氯苯分别进行提取,将氯仿和氯苯分别提取得到的聚合物溶液用氨水洗过之后再浓缩,并滴入甲醇中制得高分子量D‑A共轭聚合物。本发明方法制得的共轭聚合物可应用于有机场效应管、太阳能电池以及细胞成像等。

著录项

  • 公开/公告号CN113501938A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院大学;

    申请/专利号CN202110893877.8

  • 发明设计人 黄辉;史钦钦;李子杰;

    申请日2021-08-05

  • 分类号C08G61/12(20060101);

  • 代理机构12209 天津盛理知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵瑶瑶

  • 地址 100049 北京市石景山区玉泉路(甲)19号

  • 入库时间 2023-06-19 12:53:05

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